台媒:台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
      发布时间:2020-07-17 07:16      作者:admin      点击:

7月13日新闻,据台湾媒体报道,台积电冲刺先辈制程,在2nm研发有壮大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

台积电2_440

台积电

台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢懈弛,积极投入2nm研发,并获得技术壮大突破,成功找到切入GAA路径。

台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,联系我们还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程展望明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推想,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾外示,3nm仍会因袭FinFET(鳍式场效答晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,能够不息带给客户有成本竞争力、效能外现佳的产品 。

台积电成立于1987年,是全球最大的晶圆代工半导体制造厂,客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券营业所上市,股票代码为2330,另有美国存托凭证在美国纽约证券营业所挂牌营业,股票代号为TSM。

 
 

Powered by 建瓯忙侨房地产中介代理有限公司 @2018 RSS地图 html地图

Copyright 365站群 © 2013-2018 360 版权所有